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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SOJ | 包装说明： | SOJ, SOJ32,.44 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.2.A | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.9 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 22 ns | 备用内存宽度： | 4 |
| I/O 类型： | CONFIGURABLE | JESD-30 代码： | R-PDSO-J32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 20.96 mm |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | CACHE SRAM |
| 内存宽度： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 4194304 words | 字数代码： | 4000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 4MX1 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | SOJ |
| 封装等效代码： | SOJ32,.44 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 3.7 mm | 最大待机电流： | 0.01 A |
| 最小待机电流： | 4.75 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.18 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.25 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.75 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | J BEND | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | DUAL | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TC551402J-25 | TOSHIBA |
获取价格 |
4,194,304 WORD BY 1-BIT/1,048,576 WORD BY 4 BIT CMOS STATIC RAM |
|
| TC5514AD | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| TC5514ADL-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| TC5514ADL-3 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,CERAMIC |
|
| TC5514AP-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5514AP-3 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5514APL-3 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC, Static RAM |
|
| TC5514P | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5514P-1 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
| TC5514P-2 | TOSHIBA |
获取价格 |
IC,SRAM,1KX4,CMOS,DIP,18PIN,PLASTIC |
|
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