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TC51WHM616BXGN70 PDF预览

TC51WHM616BXGN70

更新时间： 2024-01-30 13:31:17
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
10页 280K
描述
IC 4M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 8 X 11 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, TFBGA-48, Static RAM

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TC51WHM616BXGN70 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.82
Base Number Matches：1

TC51WHM616BXGN70 数据手册

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TC51WHM616BXGN70  
AC CHARACTERISTICS AND OPERATING CONDITIONS  
(Ta = −25°C to 85°C, V = 2.6 to 3.3 V) (See Note 5 to 11)  
DD  
SYMBOL  
PARAMETER  
MIN  
MAX  
UNIT  
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
t
Read Cycle Time  
70  
⎯
⎯
⎯
⎯
10  
0
10000  
70  
70  
25  
25  
⎯
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
μs  
ms  
ns  
μs  
RC  
Address Access Time  
ACC  
CO  
Chip Enable ( CE1 ) Access Time  
Output Enable Access Time  
Data Byte Control Access Time  
Chip Enable Low to Output Active  
Output Enable Low to Output Active  
Data Byte Control Low to Output Active  
Chip Enable High to Output High-Z  
Output Enable High to Output High-Z  
Data Byte Control High to Output High-Z  
Output Data Hold Time  
OE  
BA  
COE  
OEE  
BE  
⎯
0
⎯
⎯
⎯
⎯
5
20  
20  
20  
⎯
OD  
ODO  
BD  
OH  
Page Mode Time  
70  
30  
⎯
5
10000  
⎯
PM  
Page Mode Cycle Time  
PC  
Page Mode Address Access Time  
Page Mode Output Data Hold Time  
Write Cycle Time  
30  
⎯
AA  
AOH  
WC  
WP  
CW  
BW  
AW  
AS  
70  
50  
70  
60  
60  
0
10000  
⎯
Write Pulse Width  
Chip Enable to End of Write  
Data Byte Control to End of Write  
Address Valid to End of Write  
Address Set-up Time  
⎯
⎯
⎯
⎯
Write Recovery Time  
0
⎯
WR  
CEH  
WEH  
ODW  
OEW  
DS  
Chip Enable High Pulse Width  
Write Enable High Pulse Width  
WE Low to Output High-Z  
WE High to Output Active  
Data Set-up Time  
10  
15  
⎯
0
⎯
⎯
20  
⎯
30  
0
⎯
Data Hold Time  
⎯
DH  
CE2 Set-up Time  
0
⎯
CS  
CE2 Hold Time  
300  
10  
0
⎯
CH  
CE2 Pulse Width  
⎯
DPD  
CHC  
CHP  
CE2 Hold from CE1  
⎯
CE2 Hold from Power On  
30  
⎯
AC TEST CONDITIONS  
PARAMETER  
CONDITION  
Output load  
30 pF + 1 TTL Gate  
Input pulse level  
Timing measurements  
Reference level  
V
− 0.2 V, 0.2 V  
DD  
V
× 0.5  
× 0.5  
DD  
V
DD  
t , t  
5 ns  
R
F
2006-02-27 4/10  
1234567...10

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与TC51WHM616BXGN70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TC51WHM716AXBN70 TOSHIBA IC 8M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA69, 9 X 12 MM, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, FBGA-69, S

获取价格
TC51WKM516AXBN75 TOSHIBA 2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

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TC51WKM516AXGN65 TOSHIBA IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 65 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S

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TC51WKM516AXGN70 TOSHIBA IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 70 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, PLASTIC, TFBGA-48, S

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TC51WKM516AXGN75 TOSHIBA IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,

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TC51WKM516BXGN75 TOSHIBA IC 2M X 16 PSEUDO STATIC RAM, 75 ns, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC,

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