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TC51V17740BST-70

更新时间: 2024-02-05 18:59:14
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 58K
描述
IC 4M X 4 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM

TC51V17740BST-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP2,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G20长度:17.14 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:OTHER DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:4194304 words字数代码:4000000
组织:4MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP2封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:7.7 mm
Base Number Matches:1

TC51V17740BST-70 数据手册

  

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