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TC51V4256BFT-10

更新时间: 2024-02-02 01:40:12
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
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1页 60K
描述
IC 256K X 4 OTHER DRAM, 10 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20, Dynamic RAM

TC51V4256BFT-10 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:10 nsJESD-30 代码:R-PDSO-G20
长度:14.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:OTHER DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:20字数:262144 words
字数代码:256000组织:256KX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP1
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
宽度:6 mmBase Number Matches:1

TC51V4256BFT-10 数据手册

  

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