5秒后页面跳转
TC51V4400ATRL-80 PDF预览

TC51V4400ATRL-80

更新时间: 2024-02-21 07:06:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 1012K
描述
IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC

TC51V4400ATRL-80 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSSOP, TSSOP20/26,.36Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:80 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G20
JESD-609代码:e0内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:4
端子数量:20字数:1048576 words
字数代码:1000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:1MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP20/26,.36
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024反向引出线:YES
自我刷新:NO最大待机电流:0.00015 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.06 mA
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.635 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

TC51V4400ATRL-80 数据手册

 浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TC51V4400ATRL-80的Datasheet PDF文件第7页 

与TC51V4400ATRL-80相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TC51V4400AZL-10 TOSHIBA IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC

获取价格

TC51V4400AZL-80 TOSHIBA IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC

获取价格

TC51V8512AF-15 TOSHIBA IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 150 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM

获取价格

TC51V8512ATR-12 TOSHIBA IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 120 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32, Stat

获取价格

TC51V8512ATR-15 TOSHIBA IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 150 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32, Stat

获取价格

TC51VB TAK_CHEONG Zener Diode, 51V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR

获取价格