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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | ZIP, ZIP20,.1 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 80 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PZIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | ZIP | 封装等效代码： | ZIP20,.1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.00015 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.06 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TC51V8512AF-15 | TOSHIBA | IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 150 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM |
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| TC51V8512ATR-12 | TOSHIBA | IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 120 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32, Stat |
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| TC51V8512ATR-15 | TOSHIBA | IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 150 ns, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP-32, Stat |
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|
| TC51VB | TAK_CHEONG | Zener Diode, 51V V(Z), 2%, 0.2W, Silicon, Unidirectional, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SIMILAR |
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| TC51VC | TAK_CHEONG | 暂无描述 |
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|
| TC51VTA2 | TAK_CHEONG | Zener Diode, |
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