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TC51V4260BJ-70

更新时间: 2024-02-20 23:29:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
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1页 56K
描述
IC 256K X 16 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO40, SOJ-40, Dynamic RAM

TC51V4260BJ-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:40
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:70 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-J40长度:26.04 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:OTHER DRAM
内存宽度:16功能数量:1
端口数量:1端子数量:40
字数:262144 words字数代码:256000
组织:256KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.7 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

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