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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DIP, DIP20,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 4194304 bit |
| 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 1MX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 1024 | 自我刷新： | NO |
| 最大待机电流： | 0.00015 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.055 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| TC51V4400APL-80 | TOSHIBA | IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC |
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| TC51V4400ASJ-80 | TOSHIBA | IC 1M X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, SOJ-26/20, Dynamic RAM |
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| TC51V4400ATRL-80 | TOSHIBA | IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC |
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| TC51V4400AZL-10 | TOSHIBA | IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC |
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| TC51V4400AZL-80 | TOSHIBA | IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,ZIP,20PIN,PLASTIC |
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| TC51V8512AF-15 | TOSHIBA | IC 512K X 8 PSEUDO STATIC RAM, 150 ns, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32, Static RAM |
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