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TC51V4265DFTS-70

更新时间： 2024-01-21 10:03:11

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	249K
描述
IC 256K X 16 EDO DRAM, 70 ns, PDSO40, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP-44/40, Dynamic RAM

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TC51V4265DFTS-70 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP2,
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	70 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	40
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	512
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51V4400AFT-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, TSOP2-26/20, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400AFTL-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 FAST PAGE DRAM, 80 ns, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP-26/20, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400APL-10	TOSHIBA	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC	获取价格
TC51V4400APL-80	TOSHIBA	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,DIP,20PIN,PLASTIC	获取价格
TC51V4400ASJ-80	TOSHIBA	IC 1M X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, SOJ-26/20, Dynamic RAM	获取价格
TC51V4400ATRL-80	TOSHIBA	IC,DRAM,FAST PAGE,1MX4,CMOS,TSSOP,20PIN,PLASTIC	获取价格