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TC51V4256BFTL-80

更新时间: 2024-01-09 21:06:44
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
IC 256K X 4 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO20, 6 X 16 MM, TSOP1-24/20, Dynamic RAM

TC51V4256BFTL-80 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TSOP
包装说明:TSOP1,针数:20
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:80 ns
JESD-30 代码:R-PDSO-G20长度:14.4 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:OTHER DRAM
内存宽度:4功能数量:1
端口数量:1端子数量:20
字数:262144 words字数代码:256000
组织:256KX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSOP1封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL宽度:6 mm
Base Number Matches:1

TC51V4256BFTL-80 数据手册

  

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