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TC51V18160AFT-60

更新时间: 2024-01-26 01:20:25
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 227K
描述
IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO44, Dynamic RAM

TC51V18160AFT-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.33
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:20.95 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:1048576 words
字数代码:1000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:1MX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:1.2 mm标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:MOS
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

TC51V18160AFT-60 数据手册

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