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TC51V17805CST-50

更新时间： 2024-01-04 23:43:34

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
27页	884K
描述
IC 2M X 8 EDO DRAM, 50 ns, PDSO28, 0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28, Dynamic RAM

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TC51V17805CST-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	0.300 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-28	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：	50 ns	其他特性：	RAS ONLY/ CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.41 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	EDO DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	7.7 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
TC51V17900AJ-70	TOSHIBA	IC 2M X 9 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO32, SOJ-32, Dynamic RAM	获取价格
TC51V17900AJ-80	TOSHIBA	IC 2M X 9 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO32, SOJ-32, Dynamic RAM	获取价格
TC51V18160AFT-60	TOSHIBA	IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO44, Dynamic RAM	获取价格
TC51V18160AFT-70	TOSHIBA	IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44, Dynamic RAM	获取价格
TC51V18165CFT-50	TOSHIBA	IC 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44, Dynam	获取价格
TC51V18165CFT-60	TOSHIBA	IC 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44, Dynam	获取价格