5秒后页面跳转
TC51V17900AJ-70 PDF预览

TC51V17900AJ-70

更新时间: 2024-02-12 01:23:36
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 41K
描述
IC 2M X 9 OTHER DRAM, 70 ns, PDSO32, SOJ-32, Dynamic RAM

TC51V17900AJ-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOJ
包装说明:SOJ,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE
最长访问时间:70 nsJESD-30 代码:R-PDSO-J32
长度:21 mm内存密度:18874368 bit
内存集成电路类型:OTHER DRAM内存宽度:9
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:2097152 words
字数代码:2000000组织:2MX9
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:3.6 mm
最大供电电压 (Vsup):3.6 V最小供电电压 (Vsup):3 V
标称供电电压 (Vsup):3.3 V表面贴装:YES
技术:CMOS端子形式:J BEND
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.2 mmBase Number Matches:1

TC51V17900AJ-70 数据手册

  

与TC51V17900AJ-70相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
TC51V17900AJ-80 TOSHIBA IC 2M X 9 OTHER DRAM, 80 ns, PDSO32, SOJ-32, Dynamic RAM

获取价格

TC51V18160AFT-60 TOSHIBA IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 60 ns, PDSO44, Dynamic RAM

获取价格

TC51V18160AFT-70 TOSHIBA IC 1M X 16 FAST PAGE DRAM, 70 ns, PDSO44, Dynamic RAM

获取价格

TC51V18165CFT-50 TOSHIBA IC 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44, Dynam

获取价格

TC51V18165CFT-60 TOSHIBA IC 1M X 16 EDO DRAM, 60 ns, PDSO44, 0.400 INCH, 0.80 MM PITCH, PLASTIC, TSOP2-50/44, Dynam

获取价格

TC51V18165CJ-50 TOSHIBA IC 1M X 16 EDO DRAM, 50 ns, PDSO42, 0.400 INCH, 1.27 MM PITCH, PLASTIC, SOJ-42, Dynamic RA

获取价格