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T1500N12TOFVTXPSA1

更新时间： 2024-09-19 14:45:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
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描述
Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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T1500N12TOFVTXPSA1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.72
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大均方根通态电流：	3480 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
触发设备类型：	SCR	Base Number Matches：	1

T1500N12TOFVTXPSA1 数据手册

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Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1500N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1400

1600 V

1800 V

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

3500 A

1500 A

2210 A

3480 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

39000 A

33500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

7606 10³ A²s

5611 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,10 V

1,13 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 7 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,5 kA

v_T

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,15 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

400 A ≤ i_T≤ 7500 A

3,027E-01

1,696E-04

9,303E-02

-2,552E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-15

prepared by:

revision:

4.0

pproved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1500N14TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 2220000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1
T1500N14TOF VT	INFINEON	获取价格	Phase Control Thyristor 1800 V, 1500 A with 7
T1500N16TOF VT	INFINEON	获取价格	Phase Control Thyristor 1600 V, 1500 A with 7
T1500N16TOF(VT)	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier,
T1500N16TOFVTXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,
T1500N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 2220000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T1500N18TOF VT	INFINEON	获取价格	Phase Control Thyristor 1800 V, 1500 A with 7
T1500N18TOFVT	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,
T1500TD25E	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
T1501N70TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1

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