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T1501N75TOH

更新时间： 2024-09-20 21:14:15

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
9页	82K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 7500V V(DRM), 7500V V(RRM), 1 Element,

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T1501N75TOH 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	5.71
标称电路换相断开时间：	550 µs	关态电压最小值的临界上升速率：	2000 V/us
最大直流栅极触发电流：	350 mA	最大直流栅极触发电压：	2.5 V
最大维持电流：	350 mA	最大漏电流：	500 mA
通态非重复峰值电流：	45000 A	最大通态电压：	3 V
最大通态电流：	1910000 A	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	断态重复峰值电压：	7500 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1501N75TOH 数据手册

Technische Information / Technical Information

Netz Thyristor

Phase Control Thyristor

T 1501N 70...80TOH

Features:

Volle Sperrfähigkeit bei 125° mit 50 Hz

Full blocking capability at 125°C with 50 Hz

Hohe Stoßströme und niedriger Wärme-

widererstände durch NTV-Verbindung

zwischen Silizium und Mo-Trägerscheibe.

High surge currents and low thermal resistance

by using low temperature-connection NTV between

silicon wafer and molybdenum.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H

Electroactive passivation by a - C:H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

f = 50 Hz

Periodische Vorwärts - und Rückwärts - Spitzensperrspannung

repetitive peak forward off-state and reverse voltage

V_DRM

V_RRM

t_{vj min}= -40°C t_{vj min}= 0°C

7000

7500

8000

7200

7700

8200

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_TRMSM

I_TAVM

I_TSM

4000

t_C= 85°C, f = 50Hz

t_C= 60°C, f = 50Hz

Dauergrenzstrom

mean forward current

1910

2560

t_vj= 25°C, t_p= 10ms, V_R= 0

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms, V_R= 0

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

45 kA

40 kA

I²t

10,1·10⁶A²s

t_vj= 25°C, t_p= 10ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

A²s

8,0·10⁶

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit, periodisch

critical rate of rise of on-state current, repetitive

(di/dt)_cr

300 A/µs

f = 50Hz, v_D= 0,67 V_DRM

i_GM= 3A, di_G/dt = 6A/µs

t_vj= t_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state current

(dv/dt)_cr

2000 V/µs

5. Kennbuchstabe / 5 th letter H

BIP AC / SM PB, 2001-09-19, Przybilla J. / Keller

Release 2

Seite/page 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1501N80TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 8000V V(DRM), 8000V V(RRM), 1
T1503N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T1503N75TOH	INFINEON	获取价格	Photo SCR, 7500V V(DRM),
T1503N75TOHXPSA2	INFINEON	获取价格	Photo SCR,
T1503N80TOH	INFINEON	获取价格	Photo SCR, 8000V V(DRM)
T1503N80TOH PR	INFINEON	获取价格	T1503N 光触发晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 150mm，高度
T1503NH	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T1503NH80TOH	INFINEON	获取价格	Photo SCR, 8000V V(DRM)
T1503NH80TOHMOLIHOSA1	INFINEON	获取价格	Photo SCR
T1509N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS