Datasheet > T1503NH80TOH

T1503NH80TOH

更新时间： 2024-11-10 20:59:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		光电
页数	文件大小	规格书
8页	133K
描述
Photo SCR, 8000V V(DRM)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

T1503NH80TOH 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.14
配置：	SINGLE	功能数量：	1
最大通态电流：	3800 A	最高工作温度：	120 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	PHOTO SCR
峰值浪涌电流：	45000 A	断态重复峰值电压：	8000 V
形状：	ROUND	子类别：	Photo Trigger Devices
Base Number Matches：	1

T1503NH80TOH 数据手册

Technische Information / Technical Information

Lichtgezündeter Netz Thyristor

mit integriertem Überspannungsschutz

T 1503 NH 75...80 TOH

Phase Control Thyristor, light triggered

with integrated overvoltage protection

Features:

Lichtgezündeter Netz Thyristor

Phase Control Thyristor, light triggered

with integrated overvoltage protection

mit integriertem Überspannungsschutz

Volle Sperrfähigkeit bei 120° mit 50 Hz

Full blocking capability at 120°C with 50 Hz

Hoher Stoßstrom mit hohem di/dt

und niedriger Wärmewiderstand durch

NTV Verbindung zwischen Silizium.

und Mo-Trägerscheibe

High surge current with high di/dt and low

thermal resistance by using low temperature-

connection NTV between silicon wafer.

and molybdenum

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H

Electroactive passivation by a - C:H

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

f = 50 Hz

Periodische Rückwärts-Spitzensperrspannung

repetitive peak reverse voltage

V_RRM

t_{vj min}= -40°C t_{vj min}= 0°C

7500

8000

7700

8200

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

RMS forward current

I_TRMSM

I_TAVM

I_TSM

3800

t_C= 85°C, f = 50Hz

Dauergrenzstrom

1760

2440

_C= 60°C, f = 50Hz

mean forward current

t_vj= 25°C, t_p= 10ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Stoßstrom-Grenzwert

surge forward current

45 kA

40 kA

I²t

10,1·10⁶A²s

t_vj= 25°C, t_p= 10ms

t_vj= t_{vj max}, t_p= 10ms

Grenzlastintegral

I²t-value

A²s

8,0·10⁶

DIN IEC 747-6

Kritische Stromsteilheit, periodisch

(di/dt)_cr

300 A/µs

V_D≤ V_BO, f = 50Hz, P_L= 40mW,

critical rate of rise of on-state current, repetitive

t_rise= 0,5µs

_D≤ V_BO, i_T≥ 10kA

Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch

(di/dt)_cr

(dv/dt)_cr

5000 A/µs

2000 V/µs

P_L= 40mW, t_rise= 0,5µs

critical rate of rise of on-state current, non-repetitive

t_vj= t_{vj max}, v_DM= 5kV

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state current

BIP AC / SM PB, 2001-06-05, Przybilla J. / Keller

Release 1

Seite/page 1

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与T1503NH80TOH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1503NH80TOHMOLIHOSA1	INFINEON	获取价格	Photo SCR
T1509N	ETC	获取价格	PHASE CONTROL THYRISTORS
T1509N12TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
T1509N14TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element
T1509N16TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T1509N18TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 3500A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
T150AB-LC	WEITRON	获取价格	Low Capacitance Bi-Directional Surface Mount Thyristor Surge Protective Device
T150BB-LC	WEITRON	获取价格	Low Capacitance Bi-Directional Surface Mount Thyristor Surge Protective Device
T150CB-LC	WEITRON	获取价格	Low Capacitance Bi-Directional Surface Mount Thyristor Surge Protective Device
T-15100	RHOMBUS-IND	获取价格	T3 Interface Transformers

与T1503NH80TOH相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

24
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

24
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

50
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1503NH80TOH

T1503NH80TOH 技术参数

T1503NH80TOH 数据手册

与T1503NH80TOH相关器件

与T1503NH80TOH相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

T1503NH80TOH

T1503NH80TOH 技术参数

T1503NH80TOH 数据手册

与T1503NH80TOH相关器件

与T1503NH80TOH相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？