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T1500N18TOFVT

更新时间： 2024-11-09 06:29:27

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	285K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 3480A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element,

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T1500N18TOFVT 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
配置：	SINGLE	最大直流栅极触发电流：	250 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	ROUND	封装形式：	DISK BUTTON
最大均方根通态电流：	3480 A	参考标准：	IEC-60747-6
断态重复峰值电压：	1800 V	重复峰值反向电压：	1800 V
表面贴装：	YES	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UNSPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T1500N18TOFVT 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T1500N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

^Pere^ion^din^scd^ha^et^Ve^on^{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1200

1400

1600 V

1800 V

Elektrische Eigenschaften

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

3500 A

1500 A

2210 A

3480 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

39000 A

33500 A

T_vj= 25 °C °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

7606 10³ A²s

5611 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

2,10 V

1,13 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 7 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1,5 kA

v_T

0,9 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,15 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

400 A ≤ i_T≤ 7500 A

3,027E-01

1,696E-04

9,303E-02

-2,552E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,2 V

Haltestrom

holding current

max.

500 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 2500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

150 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2008-09-15

prepared by:

revision:

4.0

pproved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
T1500TD25E	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
T1501N70TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 7000V V(DRM), 7000V V(RRM), 1
T1501N75TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 7500V V(DRM), 7500V V(RRM), 1
T1501N80TOH	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 4000A I(T)RMS, 1910000mA I(T), 8000V V(DRM), 8000V V(RRM), 1
T1503N	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor
T1503N75TOH	INFINEON	获取价格	Photo SCR, 7500V V(DRM),
T1503N75TOHXPSA2	INFINEON	获取价格	Photo SCR,
T1503N80TOH	INFINEON	获取价格	Photo SCR, 8000V V(DRM)
T1503N80TOH PR	INFINEON	获取价格	T1503N 光触发晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 150mm，高度
T1503NH	EUPEC	获取价格	Phase Control Thyristor

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