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SZP-5026Z-EVB2

更新时间： 2024-09-09 07:04:03
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SIRENZA 放大器
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14页 398K
描述
4.9GHz to 5.9GHz 2W InGaP AMPLIFIER

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SZP-5026Z-EVB2 数据手册

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SZP-5026Z  
4.9GHz to  
5.9GHz 2W  
InGaP Ampli-  
fier  
Preliminary  
SZP-5026Z  
4.9GHz to 5.9GHz 2W InGaP AMPLIFIER  
RFMD Green, RoHS Compliant, Pb-Free  
Package: Proprietary SOF-26  
Product Description  
Features  
RFMD’s SZP-5026Z is a high-linearity, single-stage, class AB Heterojunction Bipolar  
Transistor (HBT) power amplifier. It is designed with InGaP-on-GaAs device technol-  
ogy and fabricated with MOCVD for an ideal combination of low cost and high reli-  
ability. This product is specifically designed for use as a driver or final stage power  
amp for 802.16 equipment in the 4.9GHz to 5.9GHz bands. It is pre-matched on  
both ports to simplify external application circuit design. It features an input power  
detector, on/off power control, ESD protection, excellent overall robustness, and a  
hand reworkable and thermally enhanced surface-mount SOF-26 package.  
„ P1dB=33dBm @ 5V  
„ 802.11a 54Mb/s Class AB Per-  
formance  
„ POUT=25dBm @ 2.5% EVM,  
5.9GHz, 5V, 680mA  
„ On-Chip Input Power Detector  
„ Internally Prematched Input and  
Output  
Optimum Technology  
Matching® Applied  
Vcc  
„ Proprietary Low Thermal Resis-  
GaAs HBT  
tance Package  
GaAs MESFET  
„ Power Up/Down Control<1μs  
SZP-5026  
InGaP HBT  
9
SiGe BiCMOS  
RFOUT  
Applications  
„ 802.16 WiMAX Driver or Output  
Stage  
RFIN  
Si BiCMOS  
SiGe HBT  
GaAs pHEMT  
Si CMOS  
Active Bias  
Vbias  
„ 5GHz 802.11 WLAN and ISM  
Applications  
Power  
Power  
Detector  
Up/Down  
Control  
Si BJT  
GaN HEMT  
RF MEMS  
Specification  
Typ.  
Parameter  
Unit  
Condition  
Min.  
4900  
Max.  
5900  
Frequency of Operation  
Output Power at 1dB Compression  
Small Signal Gain  
EVM at 25dBm Output Power  
Third Order Suppression  
MHz  
dBm  
dBm  
%
32.5  
8.8  
2.5  
5.9GHz  
5.9GHz  
5.9GHz, 802.11a 54Mb/s  
5.9GHz, P =23dBm per tone  
OUT  
-45.0  
dBc  
Noise Figure  
5.4  
19.0  
13.0  
dB  
dB  
dB  
V
5.9GHz  
5.7GHz to 5.9GHz  
5.7GHz to 5.9GHz  
Worst Case Input Return Loss  
Worst Case Output Return Loss  
Output Voltage Range  
0.8  
2.0  
P
=10dBm to 33dBm  
OUT  
Quiescent Current  
602  
2.7  
mA  
mA  
V
V
V
=5V  
CC  
PC  
CC  
Power Up Control Current  
=5V  
=5V, V =0V  
V
Leakage Current  
100  
μA  
CC  
PC  
Thermal Resistance  
14.0  
°C/W  
Junction-to-Lead  
Test Conditions: Z =50Ω, V =5V, I =602mA, T =30°C  
0
CC  
Q
BP  
RF MICRO DEVICES®, RFMD®, Optimum Technology Matching®, Enabling Wireless Connectivity™, PowerStar®, POLARIS™ TOTAL RADIO™ and UltimateBlue™ are trademarks of RFMD, LLC. BLUETOOTH is a trade-  
mark owned by Bluetooth SIG, Inc., U.S.A. and licensed for use by RFMD. All other trade names, trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. ©2006, RF Micro Devices, Inc.  
7628 Thorndike Road, Greensboro, NC 27409-9421 · For sales or technical  
support, contact RFMD at (+1) 336-678-5570 or sales-support@rfmd.com.  
EDS-105366 Rev C  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SZP6SMB100AT3G LITTELFUSE

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SZP6SMB10AT3G LITTELFUSE

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM
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SZP6SMB130AT3G LITTELFUSE

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