品牌 | Logo | 应用领域 |
力特 - LITTELFUSE | 光电二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 272K | |
描述 | ||
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8.55V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, 2 PIN |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.10.00.50 |
风险等级: | 5.79 | 其他特性: | EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE, UL RECOGNIZED |
最大击穿电压: | 10.5 V | 最小击穿电压: | 9.5 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | UNIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.55 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 8.55 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZP6SMB110AT3G | ONSEMI |
获取价格 |
DIODE TVS DIODE, Transient Suppressor | |
SZP6SMB11AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
SZ1SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流的 | |
SZP6SMB11CAT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 9.4V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, | |
SZP6SMB11CAT3G | ONSEMI |
获取价格 |
600 Watt SMB Transient Voltage Suppressor, 11 V, Bidirectional, SMB, 2500-REEL | |
SZP6SMB120AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 102V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMB | |
SZP6SMB12AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 | |
SZP6SMB12CAT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 | |
SZP6SMB130AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 111V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMB | |
SZP6SMB13AT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM | |
SZP6SMB13CAT3G | LITTELFUSE |
获取价格 |
SZ1SMA系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 它具有一流 |