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力特 - LITTELFUSE | 光电二极管 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
5页 | 326K | |
描述 | ||
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 15.3V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB, 2 PIN |
是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | R-PDSO-C2 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.76 | 其他特性: | HIGH RELIABILITY, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, LOW ZENER IMPEDANCE |
最大击穿电压: | 18.9 V | 最小击穿电压: | 17.1 V |
配置: | SINGLE | 二极管元件材料: | SILICON |
二极管类型: | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码: | R-PDSO-C2 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | 1 |
最大非重复峰值反向功率耗散: | 600 W | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性: | BIDIRECTIONAL |
最大功率耗散: | 0.55 W | 参考标准: | AEC-Q101 |
最大重复峰值反向电压: | 15.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | ZENER | 端子面层: | Tin (Sn) |
端子形式: | C BEND | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
SZP6SMB200AT3G | ONSEMI |
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600 Watt Peak Power Zener Transient Voltage Suppressors | |
SZP6SMB200AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 171V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SMB | |
SZP6SMB20AT3G | ONSEMI |
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600 Watt SMB Transient Voltage Suppressor, 20 V, Unidirectional, SMB, 2500-REEL | |
SZP6SMB20AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 17.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM | |
SZP6SMB20CAT3G | LITTELFUSE |
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SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 | |
SZP6SMB22AT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, SM | |
SZP6SMB22CAT3G | ONSEMI |
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600 Watt SMB Transient Voltage Suppressor, 22 V, Bidirectional, SMB, 2500-REEL | |
SZP6SMB22CAT3G | LITTELFUSE |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 18.8V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, SMB | |
SZP6SMB24AT3G | LITTELFUSE |
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SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 | |
SZP6SMB24CAT3G | LITTELFUSE |
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SZP6SMB系列专为保护电压敏感型组件免受高电压、高能量瞬态事件的损坏而设计。 具有一流 |