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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.27 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 6.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 6.5 A | 最大漏源导通电阻： | 0.2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-252 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8 A |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SUD06N10-225L-GE3 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| SUD08P06-155L | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET |
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| SUD08P06-155L | FREESCALE |
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P-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET |
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| SUD08P06-155L_08 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET |
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| SUD08P06-155L-E3 | VISHAY |
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P-Channel 60-V (D-S), 175 °C MOSFET |
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| SUD08P06-155L-GE3 | VISHAY |
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P-Channel 60 V (D-S) MOSFET |
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| SUD09P10-195 | FREESCALE |
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P-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUD09P10-195 | VISHAY |
获取价格 |
P-Channel 100 V (D-S) MOSFET |
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| SUD09P10-195-GE3 | VISHAY |
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MOSFET P-CH 100V DPAK |
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| SUD1-05S05 | WALL |
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The SUD1 series of unregulated DC/DC converte |
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