STTH8R03G-TR

更新时间： 2024-11-20 22:25:03

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		整流二极管超快速恢复二极管
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描述
300V HYPERFAST RECTIFIER

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STTH8R03G-TR 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-263	包装说明：	R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.74	Is Samacsys：	N
应用：	HYPER FAST RECOVERY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	1.3 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最大输出电流：	8 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	300 V
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

STTH8R03G-TR 数据手册

STTH8R03G/D

300V HYPERFAST RECTIFIER

MAJOR PRODUCT CHARACTERISTICS

I_F(AV)

8 A

300 V

V_RRM

I_RM(typ.)

Tj (max)

V_F(max)

trr (max)

175 °C

1.3 V

30 ns

TO-220AC

STTH8R03D

FEATURES AND BENEFITS

■

Designed for high frequency applications.

Hyperfast recovery competes with GaAs devices.

Allows size decrease of snubbers and heatsinks.

DESCRIPTION

The TURBOSWITCH "R" is an ultra high

performance diode.

This TURBOSWITCH family, which drastically

cuts losses in associated MOSFET when run at

high dIF/dt, is suited for HF OFF-Line SMPS and

DC/DC converters.

D²PAK

STTH8R03G

ABSOLUTE RATINGS (limiting values, per diode)

Symbol

Parameter

Repetitive peak reverse voltage

Value

Unit

V_RRM

300

I_F(RMS)

I_F(AV)

I_FSM

T_stg

RMS forward current

Average forward current

Tc = 140°C δ = 0.5

Surge non repetitive forward current

Storage temperature range

Maximum operating junction temperature

tp = 10 ms sinusoidal

- 65 + 175

+ 175

°C

February 2001 - Ed: 1H

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