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STTH8R06G-TR PDF预览

STTH8R06G-TR

更新时间： 2024-11-17 23:35:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管高压超快恢复二极管高压超快恢复二极管快速恢复二极管
页数 文件大小 规格书
7页 115K
描述
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER

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STTH8R06G-TR 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-263包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.39
Is Samacsys：N应用：HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接：CATHODE配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：1.8 VJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值正向电流：80 A元件数量：1
相数：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最大输出电流：8 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.045 µs子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STTH8R06G-TR 数据手册

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®
STTH8R06D/FP/G/R  
TURBO 2 ULTRAFAST HIGH VOLTAGE RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
K
IF(AV)  
8 A  
VRRM  
600 V  
5.5A  
IRM (typ.)  
Tj (max)  
VF (max)  
trr (max)  
175 °C  
1.8 V  
45 ns  
A
A
K
K
TO-220FPAC  
TO-220AC  
STTH8R06FP  
STTH8R06D  
FEATURES AND BENEFITS  
■
■
■
■
Ultrafast switching  
K
K
Low reverse recovery current  
Reduces switching losses  
Low thermal resistance  
A
A
NC  
DESCRIPTION  
K
NC  
The STTH8R06D/FP/G/R, which is using ST 600V  
technology, is specially suited as boost diode in  
continuous mode power factor corrections and  
hard switching conditions.  
I2PAK  
D2PAK  
STTH8R06G  
STTH8R06R  
The device is also intended for use as a free  
wheeling diode in power supplies and other power  
switching applications.  
ABSOLUTE RATINGS (limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Repetitive peak reverse voltage  
Value  
600  
30  
Unit  
V
VRRM  
IF(RMS) RMS forward current  
A
IF(AV)  
Average forward current δ = 0.5  
TO-220AC  
Tc = 130°C  
8
A
D2PAK / I2PAK Tc = 130°C  
TO-220FPAC Tc = 85°C  
IFSM  
Tstg  
Tj  
Surge non repetitive forward current  
Storage temperature range  
Maximum operating junction temperature  
tp = 10 ms  
Sinusoidal  
80  
A
- 65 + 175  
+ 175  
°C  
°C  
January 2002 - Ed: 2C  
1/7  
1234567

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STTH8R06G-TR 替代型号

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BYC8B-600,118 NXP

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