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STTH8S06B-TR

更新时间： 2024-11-02 18:59:35

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		功效二极管
页数	文件大小	规格书
12页	336K
描述
Rectifier Diode

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STTH8S06B-TR 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DPAK-3/2
Reach Compliance Code：	compliant	Factory Lead Time：	11 weeks
风险等级：	5.67	其他特性：	SOFT FACTOR IS 1
应用：	EFFICIENCY	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	3.4 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	60 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大重复峰值反向电压：	600 V
最大反向电流：	20 µA	最大反向恢复时间：	0.018 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

STTH8S06B-TR 数据手册

STTH8S06

Turbo 2 ultrafast high voltage rectifier

Datasheet - production data

Description

This device is an ultrafast diode based on 600 V

Pt doping planar technology.

It can be used in hard switching conditions for

power factor corrections. Its extremely low

reverse recovery current reduces the switching

power losses of the MOSFET and thus increases

the overall application efficiency.

TO-220AC

This diode is also intended for applications in

power supplies and power conversions systems,

and all sorts of power switching.

Table 1: Device summary

Symbol

I_F(AV)

Value

8 A

TO-220FPAC

V_RRM

600 V

4.4 A

1.5 V

175 °C

12 ns

Features

I_RM(typ.)

V_F(typ.)

T_j(max.)

t_rr(typ.)



Ultrafast recovery

Low reverse recovery current

Low thermal resistance

Higher frequency operation

Reduces switching and conduction losses

Insulated TO-220FPAC:



Insulating voltage = 2000 V_RMS

Package capacitance = 12 pF

February 2017

DocID14277 Rev 2

1/12

www.st.com

This is information on a product in full production.

12 3 4 5 6 7...12

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