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STPS745D

更新时间： 2024-02-05 23:41:44
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意法半导体 - STMICROELECTRONICS 整流二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
7页 84K
描述
POWER SCHOTTKY RECTIFIER

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STPS745D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：TO-263包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, D2PAK-3
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
Factory Lead Time：11 weeks风险等级：1.41
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
应用：POWER外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：0.57 V
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最大输出电流：7.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：45 V最大反向电流：15000 µA
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKY端子面层：Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30Base Number Matches：1

STPS745D 数据手册

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STPS745D/F/G  
POWER SCHOTTKY RECTIFIER  
MAIN PRODUCT CHARACTERISTICS  
IF(AV)  
VRRM  
7.5 A  
45 V  
Tj (max)  
VF (max)  
175 °C  
0.57 V  
FEATURES AND BENEFITS  
A
A
K
K
VERY SMALL CONDUCTION LOSSES  
NEGLIGIBLESWITCHING LOSSES  
EXTREMELYFAST SWITCHING  
TO-220AC  
STPS745D  
ISOWATT220AC  
STPS745F  
INSULATEDPACKAGE: ISOWATT220AC  
Insulatingvoltage = 2000V DC  
Capacitance= 12pF  
K
DESCRIPTION  
Single Schottky rectifier suited for Switch Mode  
Power Supply and high frequency DC to DC con-  
verters.  
A
NC  
D2PAK  
STPS745G  
Packaged either in TO-220AC, ISOWATT220AC  
or D2PAK, this device is intended for use in low  
voltage, high frequency inverters, free wheeling  
and polarityprotectionapplications.  
ABSOLUTE RATINGS  
(limiting values)  
Symbol  
Parameter  
Value  
45  
Unit  
V
VRRM  
Repetitive peak reverse voltage  
IF(RMS) RMS forward current  
20  
A
IF(AV)  
Average forward current  
TO-220AC /  
D2PAK  
Tc = 160°C  
7.5  
A
δ
= 0.5  
ISOWATT220AC Tc = 145°C  
IFSM  
Surgenon repetitive forward  
current  
tp = 10 ms sinusoidal  
150  
A
µ
IRRM  
IRSM  
Repetitive peak reverse current  
tp = 2 s square F = 1kHz  
1
2
A
A
Non repetitivepeak reverse  
current  
tp = 100 µs square  
Tstg  
Tj  
Storage temperature range  
- 65 to + 175  
175  
°C  
°C  
Maximum operatingjunction temperature*  
Critical rate of rise of reverse voltage  
dV/dt  
dPtot  
dTj  
10000  
V/µs  
1
<
* :  
thermal runawayconditionfor a diode on its own heatsink  
Rth(j−a)  
June 1999 - Ed: 4D  
1/7  
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