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STK12C68-5C30

更新时间： 2024-09-19 20:18:51

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赛普拉斯 - CYPRESS		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	406K
描述
8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 30ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28

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STK12C68-5C30 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP, DIP28,.3	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.78
最长访问时间：	30 ns	其他特性：	EEPROM AUTO STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 10 YEARS/100000 CYCLES
JESD-30 代码：	R-CDIP-T28	JESD-609代码：	e0
长度：	35.56 mm	内存密度：	65536 bit
内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	8192 words	字数代码：	8000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	8KX8
可输出：	YES	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP28,.3
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	4.2418 mm	最大待机电流：	0.002 A
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.085 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	宽度：	7.62 mm
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STK12C68-5C30I	ETC	获取价格	NVRAM (EEPROM Based)
STK12C68-5C35	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK12C68-5C35I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK12C68-5C35M	CYPRESS	获取价格	64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM
STK12C68-5C40M	ETC	获取价格	CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM
STK12C68-5C45	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK12C68-5C45I	CYPRESS	获取价格	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28
STK12C68-5C45M	ETC	获取价格	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No
STK12C68-5C55	ETC	获取价格	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No
STK12C68-5C55I	ETC	获取价格	8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No