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STK12C68-5C30I

更新时间： 2024-01-06 19:32:57

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页数	文件大小	规格书
10页	698K
描述
NVRAM (EEPROM Based)

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STK12C68-5C30I 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIP, DIP28,.3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.78	最长访问时间：	30 ns
其他特性：	EEPROM AUTO STORE/RECALL; RETENTION/ENDURANCE - 10 YEARS/100000 CYCLES	JESD-30 代码：	R-CDIP-T28
JESD-609代码：	e0	长度：	35.56 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	NON-VOLATILE SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	28	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	8KX8	可输出：	YES
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装代码：	DIP
封装等效代码：	DIP28,.3	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	4.2418 mm
最大待机电流：	0.002 A	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.095 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	7.62 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
STK12C68-5C35	CYPRESS	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	获取价格
STK12C68-5C35I	CYPRESS	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 35ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	获取价格
STK12C68-5C35M	CYPRESS	64 Kbit (8K x 8) AutoStore nvSRAM	获取价格
STK12C68-5C40M	ETC	CMOS NV SRAM 8K X 8 AUTOSTORE NONVOLATILE STATIC RAM	获取价格
STK12C68-5C45	CYPRESS	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	获取价格
STK12C68-5C45I	CYPRESS	8KX8 NON-VOLATILE SRAM, 45ns, CDIP28, 0.300 INCH, CERAMIC, DIP-28	获取价格