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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | WDIP, DIP28,.3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A001.A.2.C | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 8.66 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 35 ns | 其他特性： | RETENTION/ENDURANCE = 10 YEARS/100000 CYCLES |
| JESD-30 代码： | R-CDIP-T28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 35.56 mm | 内存密度： | 65536 bit |
| 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 8192 words |
| 字数代码： | 8000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -55 °C |
| 组织： | 8KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 可输出： | YES | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装代码： | WDIP | 封装等效代码： | DIP28,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE, WINDOW |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 筛选级别： | 38535Q/M;38534H;883B |
| 座面最大高度： | 4.14 mm | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.075 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | MILITARY |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn85Pb15) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 7.62 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| STK12C68-5CF25 | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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| STK12C68-5CF25I | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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| STK12C68-5CF25M | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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| STK12C68-5CF35 | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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| STK12C68-5CF35I | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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| STK12C68-5CF35M | ETC | 8K x 8 AutoStore⑩ nvSRAM QuantumTrap⑩ CMOS No |
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