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STD13NM60N-H

更新时间： 2024-11-07 19:51:55

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
21页	1104K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,600V V(BR)DSS,11A I(D),TO-252AA

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STD13NM60N-H 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn) - annealed
Base Number Matches：	1

STD13NM60N-H 数据手册

STB13NM60N,STD13NM60N,STF13NM60N

STI13NM60N,STP13NM60N,STW13NM60N

N-channel 600 V, 0.28 Ω, 11 A MDmesh™ II Power MOSFET

in D²PAK, DPAK, TO-220FP, I²PAK, TO-220, TO-247

Features

V_DSS

(@Tjmax)

R_DS(on)

max

Order codes

I_D

STB13NM60N

STD13NM60N

STF13NM60N

STI13NM60N

STP13NM60N

STW13NM60N

TO-220FP

I²PAK

TO-220

650 V

< 0.36 Ω

11 A

■ 100% avalanche tested

D²PAK

DPAK

TO-247

■ Low input capacitance and gate charge

■ Low gate input resistance

Figure 1.

Internal schematic diagram

Application

Switching applications

$ꢄꢅꢆ

Description

These devices are made using the second

generation of MDmesh™ technology. This

'ꢄꢂꢆ

revolutionary Power MOSFET associates a new

vertical structure to the company’s strip layout to

yield one of the world’s lowest on-resistance and

gate charge. It is therefore suitable for the most

demanding high efficiency converters.

3ꢄꢇꢆ

3#ꢀꢁꢂꢃꢀ

Table 1.

Device summary

Order codes

STB13NM60N

Marking

Packages

D²PAK

DPAK

Packaging

Tape and reel

Tube

STD13NM60N

STF13NM60N

STI13NM60N

STP13NM60N

STW13NM60N

TO-220FP

I²PAK

13NM60N

Tube

TO-220

TO-247

Tube

November 2010

Doc ID 15420 Rev 3

1/21

www.st.com

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD14NM50NTRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 500V, 0.32ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD15 - APPLICATOR	TE	获取价格	tyco electronics contents
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