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STD14NM50NAG

更新时间： 2024-09-18 14:58:03

品牌	Logo	应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS		/
页数	文件大小	规格书
15页	758K
描述
汽车级N沟道500 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFET，DPAK封装

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STD14NM50NAG 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	DPAK-3/2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.75	雪崩能效等级（Eas）：	172 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	12 A
最大漏极电流 (ID)：	12 A	最大漏源导通电阻：	0.32 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	90 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	48 A
参考标准：	AEC-Q101	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

STD14NM50NAG 数据手册

STD14NM50NAG

Datasheet

Automotive-grade N-channel 500 V, 285 mΩ typ., 12 A MDmesh II

Power MOSFET in a DPAK package

Features

TAB

DS(on)

max.

Order code

STD14NM50NAG

500 V

320 mΩ

12 A

DPAK

•

AEC-Q101 qualified

100% avalanche tested

D(2, TAB)

Low input capacitance and gate charge

Low gate input resistance

Applications

G(1)

•

Switching applications

S(3)

Description

AM01475v1_noZen

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation

of MDmesh technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical

structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance

and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency

converters.

Product status link

STD14NM50NAG

Product summary

Order code

STD14NM50NAG

Marking

Package

Packing

14NM50N

DPAK

Tape and reel

DS12786 - Rev 3 - August 2023

For further information contact your local STMicroelectronics sales office.

www.st.com

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
STD14NM50NTRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 500V, 0.32ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
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