是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | IN-LINE, R-PSIP-T3 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.72 |
Is Samacsys: | N | 雪崩能效等级(Eas): | 50 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID): | 15 A |
最大漏极电流 (ID): | 15 A | 最大漏源导通电阻: | 0.1 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-251 |
JESD-30 代码: | R-PSIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 175 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 50 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 60 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STD15N06L | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR | |
STD15N06L-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251 | |
STD15N06LT4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252 | |
STD15N06T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252 | |
STD15N50M2AG | STMICROELECTRONICS |
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汽车级N沟道500 V、0.336 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSF | |
STD15N60DM6 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package | |
STD15N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSF | |
STD15NF10 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | |
STD15NF10L | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):100V;持续漏极电流(Id)(在25°C | |
STD15NF10T4 | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 100V - 0.060ohm- 23A - DPAK Low gate charge STripFET II Power MOSFET |