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STD15P6F6AG

更新时间: 2024-11-10 14:58:23
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS /
页数 文件大小 规格书
15页 637K
描述
汽车级P沟道-60 V、0.13 Ohm典型值、-10 A STripFET F6功率MOSFET,DPAK封装

STD15P6F6AG 数据手册

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STD15P6F6AG  
Automotive-grade P-channel -60 V, 0.13 Ω typ., -10 A  
STripFET™ F6 Power MOSFET in a DPAK package  
Datasheet - production data  
Features  
Order code  
VDSS  
RDS(on) max.  
ID  
STD15P6F6AG  
-60 V  
0.16 Ω  
-10 A  
Designed for automotive applications and  
AEC-Q101 qualified  
Very low on-resistance  
Very low gate charge  
High avalanche ruggedness  
Low gate drive power loss  
Figure 1: Internal schematic diagram  
D(2, TAB)  
Applications  
Switching applications  
Description  
This device is a P-channel Power MOSFET  
developed using the STripFET™ F6 technology,  
with a new trench gate structure. The resulting  
Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all  
packages.  
G(1)  
S(3)  
AM11258v1  
Table 1: Device summary  
Order code  
Marking  
Package  
DPAK  
Packaging  
STD15P6F6AG  
15P6F6  
Tape and Reel  
October 2015  
DocID028450 Rev 1  
1/15  
www.st.com  
This is information on a product in full production.  

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