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STD15N06 PDF预览

STD15N06

更新时间： 2024-11-06 22:34:43
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 170K
描述
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

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STD15N06 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.16Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：50 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.1 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-252JESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：50 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：60 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

STD15N06 数据手册

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STD15N06  
N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOS TRANSISTOR  
TYPE  
VDSS  
RDS(on)  
< 0.1 Ω  
ID  
STD15N06  
60 V  
15 A  
■
■
■
■
■
■
■
■
TYPICAL RDS(on) = 0.075 Ω  
AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY  
100% AVALANCHE TESTED  
REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100oC  
LOW GATE CHARGE  
3
3
2
HIGH CURRENT CAPABILITY  
175oC OPERATING TEMPERATURE  
APPLICATION ORIENTED  
1
1
CHARACTERIZATION  
IPAK  
TO-251  
(Suffix ”-1”)  
DPAK  
TO-252  
(Suffix ”T4”)  
■
■
THROUGH-HOLE IPAK (TO-251) POWER  
PACKAGE IN TUBE (SUFFIX ”-1”)  
SURFACE-MOUNTING DPAK (TO-252)  
POWER PACKAGE IN TAPE & REEL  
(SUFFIX ”T4”)  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SOLENOID AND RELAY DRIVERS  
REGULATORS  
DC-DC & DC-AC CONVERTERS  
MOTOR CONTROL, AUDIO AMPLIFIERS  
AUTOMOTIVE ENVIRONMENT (INJECTION,  
ABS, AIR-BAG, LAMPDRIVERS, Etc.)  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
VDS  
Parameter  
Value  
60  
Unit  
Drain-source Voltage (VGS = 0)  
Drain- gate Voltage (RGS = 20 kΩ)  
Gate-source Voltage  
Drain Current (continuous) at Tc = 25 oC  
Drain Current (continuous) at Tc = 100 oC  
Drain Current (pulsed)  
V
V
VDG R  
VGS  
60  
± 20  
15  
V
ID  
A
ID  
10  
A
IDM(•)  
Ptot  
60  
A
Total Dissipation at Tc = 25 oC  
50  
W
Derating Factor  
0.33  
-65 to 175  
175  
W/oC  
oC  
oC  
Tstg  
Tj  
Storage Temperature  
Max. Operating Junction Temperature  
(•) Pulse width limited by safe operating area  
1/10  
February 1995  
1234567...10

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与STD15N06相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
STD15N06-1 STMICROELECTRONICS

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 		15A, 60V, 0.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251
STD15N06L STMICROELECTRONICS

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 		N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR
STD15N06L-1 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-251
STD15N06LT4 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N06T4 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 15A I(D) | TO-252
STD15N50M2AG STMICROELECTRONICS

获取价格

 		汽车级N沟道500 V、0.336 Ohm典型值、10 A MDmesh M2功率MOSF
STD15N60DM6 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N-channel 600 V, 286 mOhm typ., 12 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a DPAK package
STD15N60M2-EP STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N沟道600 V、0.340 Ohm典型值、11 A MDmesh M2 EP功率MOSF
STD15NF10 STMICROELECTRONICS

获取价格

 		N - CHANNEL 100V - 0.073ohm - 15A TO-252 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET
STD15NF10L UMW

获取价格

 		种类:N-Channel;漏源电压（Vdss）:100V;持续漏极电流（Id）（在25°C

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