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STD1408PI

更新时间： 2024-09-17 20:05:35

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可天士 - KODENSHI		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	329K
描述
POWER TRANSISTOR

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STD1408PI 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	4 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	8 MHz	VCEsat-Max：	1.5 V
Base Number Matches：	1

STD1408PI 数据手册

STD1408PI

NPN Silicon Transistor

Features

• Low saturation switching application

• Power amplifier

PIN Connection

• High Voltage : V_CEO=80V Min.

• Complement to STB1017PI

TO-220F-3L

Ordering Information

Type NO.

Marking

Package Code

STD1408PI

STD1408

TO-220F-3L

Marking Diagram

Column 1 : Manufacturer

AUK

Column 2 : Production Information

AUK

△YMDD

- △ : Factory Management Code

- YMDD : Date Code (Year, Month, Date)

YMDD

STD1408

SDB20D45

Column 3 : Device Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

I_CP*

P_C

A(Pulse)

Collector Power dissipation (Tc=25℃)

°C

Junction temperature

Storage temperature

* : Single pulse, tp= 300 ㎲

T_j

150

T_stg

-55~150

Characteristic

Symbol

R_th(J-C)

R_th(J-a)

Typ.

Max

8.33

62.5

Unit

Junction-case

Thermal

resistance

℃/W

Junction-ambient

KSD-T0O111-000

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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STD14NM50NAG	STMICROELECTRONICS	获取价格	汽车级N沟道500 V、0.28 Ohm典型值、12 A MDmesh II功率MOSFE
STD14NM50NTRL	STMICROELECTRONICS	获取价格	12A, 500V, 0.32ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT, DPAK-3
STD15 - APPLICATOR	TE	获取价格	tyco electronics contents
STD150	ETC	获取价格	STD150\|Data Sheet
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