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STD116GK08B

更新时间： 2022-02-26 10:44:54

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Thyristor-Diode Modules

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STD116GK08B 数据手册

STD116GKXXB

Thyristor-Diode Modules

1000

T_c

0.08 0.06 0.04 0.02

th(c-a)

STT116B

STD116B

0.1

750

500

250

0.12

0.14

0.16

0.18

0.2

500

0.24

0.3

109

119

0.4

250

0.5

0.7

^OC

Pvtot

vtot

K/W

130

^OC

T_a

RMS

100

150

100

200

300

Fig.4L Power dissipation of three modules vs. direct and rms current

Fig.4R Power dissipation of three modules vs. case temp

10000

0.6

STT116

STD116

STT116B

Zth(j-s)

K/W

0.5

STD

116

0.4

0.3

0.2

0.1

TM=

Zth(j-c)

1000

500

200

100

50A

20A

Qrr

100

Tvj=

^oC

130

Zth

-di_T/dt

A/us100

0.001

0.01

0.1

10 s 100

Fig.5 Recovered charge vs. current decrease

Fig.6 Transient thermal impedance vs. time

300

typ.

116B

STD116B

STT

max.

IT(OV)

116B

STT

STD

TSM

1.6

1.4

116

TSM(25 ^OC) =2250A

TSM(130^OC)=1900A

200

1.2

0 VRRM

0.5 VRRM

1 VRRM

100

0.8

0.6

0.4

Tvj=25 ^OC

Tvj=125 C

- -

0.5

1.5

100

ms 1000

Fig.7 On-state charactristics

Fig.8 Surge overload current vs. time

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Tel: +86-519-86800000 Fax: +86-519-88019019 E-mail: sales@sirectifier.com

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