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| 意法半导体 - STMICROELECTRONICS |  |
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| 页数 | 文件大小 | 规格书 |
| 21页 | 1263K |  |
| 描述 | ||
| N-channel 650 V, 0.425 Ω typ., 11 A MDmeshâ¢II Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, I²PAKFP and TO-220 packages | ||
| 生命周期： | Active | 包装说明： | ROHS COMPLIANT, DPAK-3/2 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 16 weeks | 风险等级： | 1.53 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 147 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 650 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 11 A | 最大漏极电流 (ID)： | 11 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.455 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 44 A | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STD120 | LITTELFUSE |
获取价格 |
This axial leaded strap product is designed to provide reliable, non-cycling protection fo |
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| STD-1201 | VOLGEN |
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ADAPTER - 5W/10W |
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| STD-12012T | VOLGEN |
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ADAPTER-18W |
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| STD-12016T | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER-18W |
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| STD-1203 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
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| STD-1204 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
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| STD-1205 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 36W / 48W/ 60W |
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| STD-1207 | VOLGEN |
获取价格 |
ADAPTER - 90W |
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| STD120N4F6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK |
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| STD120N4LF6 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 40 V, 3.1 mΩ, 80 A DPAK, D²PAK ST |
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