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STB9NC60T4

更新时间： 2024-09-16 19:59:27
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 459K
描述
9A, 600V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3

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STB9NC60T4 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.69雪崩能效等级（Eas）：850 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：9 A
最大漏极电流 (ID)：9 A最大漏源导通电阻：0.75 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：36 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

STB9NC60T4 数据手册

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STB9NC60  
STB9NC60-1  
N-CHANNEL 600V - 0.6Ω - 9A - D2PAK/I2PAK  
PowerMesh™II MOSFET  
TYPE  
V
DSS  
R
I
D
DS(on)  
STB9NC60  
STB9NC60-1  
600 V  
600 V  
< 0.75 Ω  
< 0.75 Ω  
9.0 A  
9.0 A  
■
■
■
■
■
TYPICAL R (on) = 0.6 Ω  
DS  
EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY  
100% AVALANCHE TESTED  
NEW HIGH VOLTAGE BENCHMARK  
GATE CHARGE MINIMIZED  
3
1
3
2
1
2
2
D PAK  
I PAK  
DESCRIPTION  
The PowerMESH™II is the evolution of the first  
generation of MESH OVERLAY™. The layout re-  
finements introduced greatly improve the Ron*area  
figure of merit while keeping the device at the lead-  
ing edge for what concerns swithing speed, gate  
charge and ruggedness.  
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM  
APPLICATIONS  
■
■
■
HIGH CURRENT, HIGH SPEED SWITCHING  
SWITH MODE POWER SUPPLIES (SMPS)  
DC-AC CONVERTERS FOR WELDING  
EQUIPMENT AND UNINTERRUPTIBLE  
POWER SUPPLIES AND MOTOR DRIVER  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS  
Symbol  
Parameter  
Value  
600  
600  
±30  
9
Unit  
V
Drain-source Voltage (V = 0)  
V
V
DS  
GS  
V
Drain-gate Voltage (R = 20 kΩ)  
DGR  
GS  
V
GS  
Gate- source Voltage  
V
I
Drain Current (continuos) at T = 25°C  
A
D
C
I
Drain Current (continuos) at T = 100°C  
5.7  
36  
A
D
C
I
(1)  
Drain Current (pulsed)  
A
DM  
P
Total Dissipation at T = 25°C  
125  
1.0  
3.5  
W
TOT  
C
Derating Factor  
W/°C  
V/ns  
dv/dt  
Peak Diode Recovery voltage slope  
Storage Temperature  
T
stg  
– 55 to 150  
°C  
T
Max. Operating Junction Temperature  
j
(1)I ≤9A, di/dt ≤100A/µs, V ≤ V  
, T ≤ T  
(BR)DSS j JMAX  
SD  
DD  
(•)Pulse width limited by safe operating area  
February 2002  
1/10  
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