5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Not Recommended |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 7.9 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 190 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 7.2 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 7.2 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 28.8 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| FQB9N50CTM | FAIRCHILD |
功能相似  |
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 500V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF840ASPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| IXTA8N50P | IXYS |
功能相似 |
PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB9NK60-1 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V 0.85 OHM 7A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK ZENER-PROTECTED SUPERMESH POWER MOS |
|
| STB9NK60Z | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK |
|
| STB9NK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK |
|
| STB9NK60ZD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
|
| STB9NK60ZD_06 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600V - 0.85ヘ - 7A - D2PAK/TO-220FP/ |
|
| STB9NK60ZD_08 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-channel 600 V - 0.85 ヘ - 7 A - D2PAK, TO-22 |
|
| STB9NK60ZDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85? - 7A TO-220/TO-220FP/DPAK SuperFREDMesh MOSFET |
|
| STB9NK60ZFD | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET |
|
| STB9NK60ZFDT4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V-0.85 Ohm-7A TO-220/TO-220FP/D2PAK Fast Diode SuperMESH MOSFET |
|
| STB9NK60ZFP | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.85ohm - 7A TO-220/FP/D2PAK |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
替代型号
如果您发现信息不准确，
