是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | D2PAK-3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 520 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 500 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 8.6 A | 最大漏极电流 (ID): | 8.6 A |
最大漏源导通电阻: | 0.85 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 2 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 125 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 34.4 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IRF840ASPBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET | |
SPB04N60C3 | INFINEON |
功能相似 |
Cool MOS Power Transistor |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB9NB50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB | |
STB9NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET | |
STB9NB60-1 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA | |
STB9NB60T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB | |
STB9NB65-1 | STMICROELECTRONICS |
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9A, 650V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN | |
STB9NC60 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK Po | |
STB9NC60-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK Po | |
STB9NC60T4 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
9A, 600V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, D2PAK-3 | |
STB9NK50Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 500V - 0.72ohm - 7.2A TO-220/TO-220 | |
STB9NK50Z-1 | STMICROELECTRONICS |
获取价格 |
7.2A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, I2PAK-3 |