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| 生命周期： | Active | 包装说明： | O-MUPM-D1 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.50 | 风险等级： | 5.79 |
| 击穿电压标称值： | 82 V | 外壳连接： | CATHODE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE | JESD-30 代码： | O-MUPM-D1 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散： | 9000 W | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 1 | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 极性： | UNIDIRECTIONAL | 最大功率耗散： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 62 V |
| 子类别： | Transient Suppressors | 表面贴装： | NO |
| 技术： | AVALANCHE | 端子形式： | SOLDER LUG |
| 端子位置： | UPPER | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| STB9K9.1P | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 6.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| STB9K9.1PR | SSDI |
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Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 6.8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| STB9K91P | SSDI |
获取价格 |
Trans Voltage Suppressor Diode, 9000W, 68V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, |
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| STB9NB50 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE Power MESH MOSFET |
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| STB9NB50T4 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 8.6A I(D) | TO-263AB |
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| STB9NB60 | STMICROELECTRONICS |
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N - CHANNEL 600V - 0.7ohm - 9A - I2PAK/D2PAK PowerMESH MOSFET |
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| STB9NB60-1 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-262AA |
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| STB9NB60T4 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-263AB |
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| STB9NB65-1 | STMICROELECTRONICS |
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9A, 650V, 0.75ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, TO-262, 3 PIN |
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| STB9NC60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V - 0.6ohm - 9A - D2PAK/I2PAK Po |
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