是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, D2PAK-3 | 针数: | 3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.74 | Is Samacsys: | N |
雪崩能效等级(Eas): | 500 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 33 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 80 A | 最大漏极电流 (ID): | 80 A |
最大漏源导通电阻: | 0.009 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | JESD-609代码: | e3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 175 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 245 | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs): | 300 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 320 A |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Matte Tin (Sn) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
STB130NS04ZBT4TRL | STMICROELECTRONICS |
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暂无描述 | |
STB135N10 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 100V - 0.007 ohm - 135A DPAK/TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET | |
STB13N60M2 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道600 V、0.35 Ohm典型值、11 A MDmesh M2功率MOSFET,D | |
STB13N80K5 | STMICROELECTRONICS |
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N沟道800 V、0.37 Ohm典型值、12 A MDmesh K5功率MOSFET,D | |
STB13NK60 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2 | |
STB13NK60Z | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2 | |
STB13NK60Z_05 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.48ヘ-13A-TO-220/FP-D/IPAK-T | |
STB13NK60Z-1 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2 | |
STB13NK60ZT4 | STMICROELECTRONICS |
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N-CHANNEL 600V-0.48ohm-13A TO-220/FP/D2PAK/I2 | |
STB13NM50N | STMICROELECTRONICS |
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N-channel 500V - 0.250ヘ - 12A - TO-220/FP - T |