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SST308-SOT-23

更新时间： 2024-09-25 15:52:55

品牌	Logo	应用领域
凌特 - Linear		光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
11页	500K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Junction FET, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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SST308-SOT-23 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE
FET 技术：	JUNCTION	最大反馈电容 (Crss)：	2.5 pF
最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	最高工作温度：	135 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SST308-SOT-23 数据手册

U/J/SST308

SERIES

SINGLE N-CHANNEL HIGH

FREQUENCY JFET

Linear Integrated Systems

FEATURES

Direct Replacement For SILICONIX U/J/SST308 SERIES

OUTSTANDING HIGH FREQUENCY GAIN

LOW HIGH FREQUENCY NOISE

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS¹

@ 25 °C (unless otherwise stated)

Maximum Temperatures

Storage Temperature

Junction Operating Temperature

Maximum Power Dissipation

Continuous Power Dissipation (J/SST)

Continuous Power Dissipation (U)

Maximum Currents

G_pg= 11.5dB

NF = 2.7dB

J SERIES

TO-18

TO-92

BOTTOM VIEW

-55 to 150°C

-55 to 135°C

SST SERIES

SOT-23

TOP VIEW

350mW

500mW

Gate Current (J/SST)

Gate Current (U)

10mA

20mA

Maximum Voltages

Gate to Drain

Gate to Source

-25V

COMMON ELECTRICAL CHARACTERISTICS @ 25 °C (unless otherwise stated)

SYMBOL

BV_GSS

V_GS(F)

I_G

r_DS(on)

e_n

CHARACTERISTIC

MIN TYP MAX UNIT

CONDITIONS

Gate to Source Breakdown Voltage

Gate to Source Forward Voltage

Gate Operating Current

Drain to Source On Resistance

Equivalent Noise Voltage

-25

I_G= -1µA, V_DS= 0V

I_G= 10mA, V_DS= 0V

V_DG= 9V, I_D= 10mA

V_GS= 0V, I_D= 1mA

0.7

-15

Ω

nV/√Hz V_DS= 10V, I_D= 10mA, f = 100Hz

f = 105MHz

1.5

2.7

11.5

0.16

0.55

G_pg

g_fg

Noise Figure

Power Gain²

f = 450MHz

f = 105MHz

f = 450MHz

f = 105MHz

f = 450MHz

f = 105MHz

f = 450MHz

V_DS= 10V, I_D= 10mA

Forward

Transconductance

g_og

Output Conductance

Linear Integrated Systems • 4042 Clipper Court • Fremont, CA 94538 • Tel: 510 490-9160 • Fax: 510 353-0261

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SST308-SOT-23-3L-ROHS	Linear	获取价格	Transistor,
SST308T	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
SST308-T1-E3	VISHAY	获取价格	Transistor
SST308T-1T1	VISHAY	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
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