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SST25WF020A-40-5I-SN

更新时间： 2024-11-07 12:01:55

品牌	Logo	应用领域
美国微芯 - MICROCHIP		闪存
页数	文件大小	规格书
36页	546K
描述
2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash

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SST25WF020A-40-5I-SN 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SOP,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
最大时钟频率 (fCLK)：	40 MHz	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
长度：	4.9 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
功能数量：	1	端子数量：	8
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	SERIAL	编程电压：	1.8 V
筛选级别：	TS 16949	座面最大高度：	1.75 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	1.27 mm
端子位置：	DUAL	类型：	NOR TYPE
宽度：	3.9 mm	Base Number Matches：	1

SST25WF020A-40-5I-SN 数据手册

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SST25WF020A

2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash

• Packages Available

Features

- 8-lead SOIC (150 mils)

• Single Voltage Read and Write Operations

- 1.65-1.95V

- 8-contact USON (2mm x 3mm)

• All devices are RoHS compliant

• Serial Interface Architecture

- SPI Compatible: Mode 0 and Mode 3

• High Speed Clock Frequency

- 40MHz

Product Description

SST25WF020A is a member of the Serial Flash 25

Series family and feature a four-wire, SPI-compatible

interface that allows for a low pin-count package which

occupies less board space and ultimately lowers total

system costs. SPI serial flash memory is manufactured

with proprietary, high-performance CMOS SuperFlash

technology. The split-gate cell design and thick-oxide

tunneling injector attain better reliability and manufac-

turability compared with alternate approaches.

• Superior Reliability

- Endurance: 100,000 Cycles

- Greater than 20 years Data Retention

• Ultra-Low Power Consumption:

- Active Read Current: 4 mA (typical)

- Standby Current: 10 µA (typical)

- Power-down Mode Standby Current: 4 µA (typical)

• Flexible Erase Capability

This Serial Flash significantly improve performance

and reliability, while lowering power consumption. The

device writes (Program or Erase) with a single power

supply of 1.65-1.95V. The total energy consumed is a

function of the applied voltage, current, and time of

application. Since for any given voltage range, the

SuperFlash technology uses less current to program

and has a shorter erase time, the total energy con-

sumed during any Erase or Program operation is less

than alternative flash memory technologies.

- Uniform 4 KByte sectors

- Uniform 64 KByte overlay blocks

• Page Program Mode

- 256 Bytes/Page

• Fast Erase and Page-Program:

- Chip-Erase Time: 300 ms (typical)

- Sector-Erase Time: 40 ms (typical)

- Block-Erase Time: 80 ms (typical)

- Page-Program Time: 3 ms/ 256 bytes (typical)

• End-of-Write Detection

SST25WF020A is offered in 8-lead SOIC and 8-contact

USON packages. See Figure 2-1 for the pin assign-

ments.

- Software polling the BUSY bit in Status Register

• Hold Pin (HOLD#)

- Suspend a serial sequence without deselect-

ing the device

• Write Protection (WP#)

- Enables/Disables the Lock-Down function of

the status register

• Software Write Protection

- Write protection through Block-Protection bits

in status register

• Temperature Range

- Industrial: -40°C to +85°C

 2013 Microchip Technology Inc.

Preliminary

DS21392A-page 1

12 3 4 5 6 7...36

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SST25WF020A-40I/MF	MICROCHIP	获取价格	FLASH 1.8V PROM
SST25WF020A-40I/SN	MICROCHIP	获取价格	2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF020AT-40-5I-NP	MICROCHIP	获取价格	2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF020AT-40-5I-SN	MICROCHIP	获取价格	2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF020AT-40I/MF	MICROCHIP	获取价格	2 Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF020AT-40I/NP	MICROCHIP	获取价格	FLASH 1.8V PROM
SST25WF020AT-40I/SN	MICROCHIP	获取价格	FLASH 1.8V PROM
SST25WF040	SST	获取价格	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF040-40-5I-QAE	SST	获取价格	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash
SST25WF040-40-5I-QAF	SST	获取价格	512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit / 4Mbit 1.8V SPI Serial Flash

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