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SSR1N50A

更新时间： 2024-09-21 03:30:59
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
7页 265K
描述
N-CHANNEL POWER MOSFET

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SSR1N50A 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.73
雪崩能效等级（Eas）：113 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.3 A最大漏极电流 (ID)：1.3 A
最大漏源导通电阻：5.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：26 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：5 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSR1N50A 数据手册

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SSR/U1N50A  
Advanced Power MOSFET  
FEATURES  
BVDSS = 500 V  
Avalanche Rugged Technology  
Rugged Gate Oxide Technology  
Lower Input Capacitance  
W
RDS(on) = 5.5  
ID = 1.3 A  
Improved Gate Charge  
Extended Safe Operating Area  
D-PAK  
I-PAK  
m
Lower Leakage Current : 10 A (Max.) @ VDS = 500V  
W
Lower RDS(ON) : 4.046 (Typ.)  
2
1
1
2
3
3
1. Gate 2. Drain 3. Source  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Characteristic  
Drain-to-Source Voltage  
Value  
500  
1.3  
Units  
VDSS  
V
O
Continuous Drain Current (TC=25 C)  
ID  
A
O
Continuous Drain Current (TC=100 C )  
0.82  
5
1
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
Drain Current-Pulsed  
A
V
O
+
_
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
30  
2
113  
1.3  
2.6  
3.5  
2.5  
26  
mJ  
A
O
1
O
EAR  
dv/dt  
1
Repetitive Avalanche Energy  
mJ  
V/ns  
W
O
3
Peak Diode Recovery dv/dt  
O
O
*
Total Power Dissipation (TA=25  
Total Power Dissipation (TC=25  
Linear Derating Factor  
)
)
C
C
O
PD  
W
O
0.21  
W/ C  
Operating Junction and  
TJ , TSTG  
- 55 to +150  
300  
Storage Temperature Range  
O
C
Maximum Lead Temp. for Soldering  
Purposes, 1/8” from case for 5-seconds  
TL  
Thermal Resistance  
Symbol  
Characteristic  
Typ.  
Max.  
Units  
Rq  
Junction-to-Case  
--  
--  
--  
4.76  
50  
JC  
O
Rq  
*
Junction-to-Ambient  
Junction-to-Ambient  
C/W  
JA  
Rq  
110  
JA  
*
When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount).  
Rev. B  
©1999 Fairchild Semiconductor Corporation  
1234567

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