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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1 A |
| 最大漏源导通电阻： | 12 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 最大反馈电容 (Crss)： | 20 pF | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 40 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 3 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 90 ns | 最大开启时间（吨）： | 35 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSR1N60A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 900MA I(D) | TO-252AA |
|
| SSR1N60ATM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| SSR1N60B | FAIRCHILD |
获取价格 |
600V N-Channel MOSFET |
|
| SSR1N60BTF | ROCHESTER |
获取价格 |
0.9A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3 |
|
| SSR1N60BTM | ROCHESTER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| SSR1N60BTM | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
|
| SSR1N60BTM-WS | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET |
|
| SSR2 | ETC |
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ROSETTENKNOPF SELBSTMONTAGE M8 10ST |
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| SSR20040CTR | SSDI |
获取价格 |
Rectifier Diode, Schottky, 100A, 40V V(RRM), |
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| SSR2008CAM | SSDI |
获取价格 |
20 A, 80 V Centertap Schottky Rectifier |
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