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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> SSR1N60B
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SSR1N60B

更新时间： 2024-11-09 22:21:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
9页 638K
描述
600V N-Channel MOSFET

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SSR1N60B 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：DPAK-3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.19
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：50 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.9 A
最大漏极电流 (ID)：0.9 A最大漏源导通电阻：12 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：28 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：3 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSR1N60B 数据手册

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November 2001  
SSR1N60B / SSU1N60B  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supplies.  
•
•
•
•
•
•
0.9A, 600V, R  
= 12Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 5.9 nC)  
Low Crss ( typical 3.6 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
D
●
◀
▲
●
●
!
G
I-PAK  
SSU Series  
D-PAK  
SSR Series  
G
S
G D S  
!
S
Absolute Maximum Ratings  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
SSR1N60B / SSU1N60B  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
600  
0.9  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
0.57  
3.0  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
± 30  
50  
V
GSS  
AS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
0.9  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
2.8  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
5.5  
Power Dissipation (T = 25°C) *  
2.5  
P
A
D
Power Dissipation (T = 25°C)  
28  
W
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.22  
-55 to +150  
W/°C  
°C  
T , T  
J
stg  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8" from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ  
--  
Max  
4.53  
50  
Units  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
R
R
R
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient *  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
θJC  
θJA  
θJA  
--  
--  
110  
* When mounted on the minimum pad size recommended (PCB Mount)  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B, November 2001  
1234567...9

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与SSR1N60B相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
SSR1N60BTF ROCHESTER

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 		0.9A, 600V, 12ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, DPAK-3
SSR1N60BTM ROCHESTER

获取价格

 		暂无描述
SSR1N60BTM FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 0.9A I(D), 600V, 12ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
SSR1N60BTM-WS FAIRCHILD

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
SSR2 ETC

获取价格

 		ROSETTENKNOPF SELBSTMONTAGE M8 10ST
SSR20040CTR SSDI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 100A, 40V V(RRM),
SSR2008CAM SSDI

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 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 80V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2008CAMUB SSDI

获取价格

 		Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 20A, 80V V(RRM), Silicon, TO-254AA, HERMETI
SSR2008CAZ SSDI

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 		20 A, 80 V Centertap Schottky Rectifier

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