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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| SSP3N70A | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 700V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| SSP3N80 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| SSP3N80A | FAIRCHILD |
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Advanced Power MOSFET |
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| SSP3N80AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP3N90 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 3A I(D) | TO-220AB |
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| SSP3N90A | FAIRCHILD |
获取价格 |
Advanced Power MOSFET |
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| SSP3N90AJ69Z | FAIRCHILD |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 6.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| SSP-4504DE3R3M | VISHAY |
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RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 3.3ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| SSP-4504DE4R7M | VISHAY |
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RESISTOR, TEMPERATURE DEPENDENT, PTC, 4.7ohm, THROUGH HOLE MOUNT, RADIAL LEADED |
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| SSP45N10 | SECOS |
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
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