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SSF1016

更新时间： 2024-11-10 02:55:19

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固锝 - GOOD-ARK		局域网开关脉冲晶体管
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6页	1299K
描述
100V N-Channel MOSFET

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SSF1016 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.7
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	380 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (ID)：	75 A	最大漏源导通电阻：	0.016 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	300 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

SSF1016 数据手册

SSF1016

100V N-Channel MOSFET

FEATURES

ID =75A



Advanced trench process technology

BV=100V

avalanche energy, 100% test

R_{DS (ON)}=16mΩ (Max.)

Fully characterized avalanche voltage and current

Lead free product

DESCRIPTION

The SSF1016 is a new generation of high voltage and low

current N–Channel enhancement mode trench power

MOSFET. This new technology increases the device reliability

and electrical parameter repeatability. SSF1016 is assembled

in high reliability and qualified assembly house.

APPLICATIONS



Power switching application

SSF1016 Top View (T0-220)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@T_c=25ْC Continuous drain current,VGS@10V

I_D@T_c=100Cْ Continuous drain current,VGS@10V

I_DM

Pulsed drain current ①

300

273

1.5

Power dissipation

W/ْC

P_D@T_C=25ْC

Linear derating factor

V_GS

E_AS

E_AR

dv/dt

T_J

Gate-to-Source voltage

±20

380

TBD

Single pulse avalanche energy ②

Repetitive avalanche energy

Peak diode recovery voltage

Operating Junction and

v/ns

–55 to +175

Cْ

T_STG

Storage Temperature Range

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-case

Junction-to-ambient

Min.

—

Typ.

0.55

—

Max.

—

Units

Cْ /W

R_θJC

R_θJA

—

Electrical Characteristics @T_J=25 Cْ (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ.

Max. Units

Test Conditions

V_GS=0V,I_D=250μA

V_GS=10V,I_D=30A

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_DS=100V,V_GS=0V

V_DS=100V,

BV_DSSDrain-to-Source breakdown voltage

R_DS(on)Static Drain-to-Source on-resistance

V_GS(th)Gate threshold voltage

100

—

4.0

mΩ

2.0

—

I_DSSDrain-to-Source leakage current

μA

—

V_GS=0V,T_J=150ْC

V_GS=20V

I_GSSGate-to-Source forward leakage

100

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Rev.2.2

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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SSF1016A_15	GOOD-ARK	获取价格	100V N-Channel MOSFET
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SSF-102-01-S-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, ROHS C

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