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SSF1016

更新时间： 2024-09-17 02:55:19
品牌 Logo 应用领域
固锝 - GOOD-ARK 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 1299K
描述
100V N-Channel MOSFET

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SSF1016 技术参数

生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.7
其他特性：HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：380 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (ID)：75 A最大漏源导通电阻：0.016 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：300 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

SSF1016 数据手册

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SSF1016  
100V N-Channel MOSFET  
FEATURES  
ID =75A  
Advanced trench process technology  
BV=100V  
avalanche energy, 100% test  
RDS (ON) =16mΩ (Max.)  
Fully characterized avalanche voltage and current  
Lead free product  
DESCRIPTION  
The SSF1016 is a new generation of high voltage and low  
current N–Channel enhancement mode trench power  
MOSFET. This new technology increases the device reliability  
and electrical parameter repeatability. SSF1016 is assembled  
in high reliability and qualified assembly house.  
APPLICATIONS  
Power switching application  
SSF1016 Top View (T0-220)  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
75  
Units  
ID@Tc=25ْC Continuous drain current,VGS@10V  
ID@Tc=100Cْ Continuous drain current,VGS@10V  
A
65  
IDM  
Pulsed drain current ①  
300  
273  
1.5  
Power dissipation  
W
W/ْC  
V
PD@TC=25ْC  
Linear derating factor  
VGS  
EAS  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Gate-to-Source voltage  
±20  
380  
TBD  
31  
Single pulse avalanche energy ②  
Repetitive avalanche energy  
Peak diode recovery voltage  
Operating Junction and  
mJ  
mJ  
v/ns  
–55 to +175  
Cْ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-case  
Junction-to-ambient  
Min.  
—
Typ.  
0.55  
—
Max.  
—
Units  
Cْ /W  
RθJC  
RθJA  
—
62  
Electrical Characteristics @TJ=25 Cْ (unless otherwise specified)  
Parameter  
Min. Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
VGS=0V,ID=250μA  
VGS=10V,ID=30A  
VDS=VGS,ID=250μA  
VDS=100V,VGS=0V  
VDS=100V,  
BVDSS Drain-to-Source breakdown voltage  
RDS(on) Static Drain-to-Source on-resistance  
VGS(th) Gate threshold voltage  
100  
—
—
11  
—
—
—
16  
4.0  
2
V
mΩ  
V
2.0  
—
IDSS Drain-to-Source leakage current  
μA  
nA  
—
—
—
—
10  
VGS=0V,TJ=150ْC  
VGS=20V  
IGSS Gate-to-Source forward leakage  
100  
www.goodark.com  
Page 1 of 6  
Rev.2.2  
123456

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