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SSF1020

更新时间： 2024-11-07 02:55:19

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固锝 - GOOD-ARK		局域网二极管
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100V N-Channel MOSFET

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SSF1020 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.68
Is Samacsys：	N	其他特性：	HIGH RELIABILITY, ULTRA LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）：	240 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (ID)：	60 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	240 A
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

SSF1020 数据手册

SSF1020

100V N-Channel MOSFET

FEATURES

ID =60A



Advanced trench process technology

BV=100V

Ultra low Rdson, typical 16mohm

High avalanche energy, 100% test

Fully characterized avalanche voltage and current

Lead free product

R_DS(ON)=16mΩ（Typ.）

DESCRIPTION

The SSF1020 is a new generation of middle voltage and high

current N–Channel enhancement mode trench power

MOSFET. This new technology increases the device reliability

and electrical parameter repeatability. SSF1020 is assembled

in high reliability and qualified assembly house.

APPLICATIONS



Power switching application

SSF1020 Top View (TO-220)

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@T_c=25ْC Continuous drain current,VGS@10V

I_D@T_c=100Cْ Continuous drain current,VGS@10V

I_DM

Pulsed drain current ①

Power dissipation

240

180

2.0

W/ْC

P_D@T_C=25ْC

Linear derating factor

V_GS

E_AS

E_AR

T_J

Gate-to-Source voltage

Single pulse avalanche energy ②

Repetitive avalanche energy

Operating Junction and

Storage Temperature Range

±20

240

TBD

–55 to +175

Cْ

T_STG

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-case

Junction-to-ambient

Min.

—

Typ.

0.83

—

Max.

—

Units

R_θJC

R_θJA

Cْ /W

—

Electrical Characteristics @T_J=25 Cْ (unless otherwise specified)

Parameter

Min. Typ. Max. Units

Test Conditions

V_GS=0V,I_D=250μA

BV_DSS

R_DS(on)

V_GS(th)

g_fs

Drain-to-Source breakdown voltage

Static Drain-to-Source on-resistance

Gate threshold voltage

100

—

3.0

—

4.0

—

mΩ

V_GS=10V,I_D=30A

2.0

—

V_DS=V_GS,I_D=250μA

V_DS=5V,I_D=30A

Forward transconductance

—

V_DS=100V,V_GS=0V

V_DS=100V, V_GS=0V, T_J=150ْC

I_DSS

Drain-to-Source leakage current

μA

—

www.goodark.com

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Rev.2.2

12 3 4 5

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与SSF1020相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
SSF1020_15	GOOD-ARK	获取价格	100V N-Channel MOSFET
SSF-102-01-F-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket
SSF-102-01-FM-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket
SSF-102-01-S-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket, ROHS C
SSF-102-01-SM-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Solder Terminal, Socket
SSF-102-02-F-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socket
SSF-102-02-FM-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socket
SSF-102-02-L-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socket
SSF-102-02-LM-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socket
SSF-102-02-P-D	SAMTEC	获取价格	Board Connector, 4 Contact(s), 2 Row(s), Female, Straight, Surface Mount Terminal, Socket

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