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SPB100N03S2L-03

更新时间： 2024-11-15 22:12:07
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页 419K
描述
OptiMOS Power-Transistor

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SPB100N03S2L-03 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：100 A
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0034 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：300 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

SPB100N03S2L-03 数据手册

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SPI100N03S2L-03  
SPP100N03S2L-03,SPB100N03S2L-03  
OptiMOS Power-Transistor  
Product Summary  
Feature  
V
R
I
30  
2.7  
V
DS  
• N-Channel  
max. SMD version  
mΩ  
A
DS(on)  
• Enhancement mode  
• Logic Level  
100  
D
P- TO262 -3-1  
P- TO263 -3-2  
P- TO220 -3-1  
• Excellent Gate Charge x R  
DS(on)  
product (FOM)  
• Superior thermal resistance  
• 175°C operating temperature  
• Avalanche rated  
• dv/dt rated  
Type  
Package  
Ordering Code  
Marking  
PN03L03  
PN03L03  
PN03L03  
SPP100N03S2L-03 P- TO220 -3-1 Q67042-S4056  
SPB100N03S2L-03 P- TO263 -3-2 Q67042-S4055  
SPI100N03S2L-03 P- TO262 -3-1 Q67042-S4094  
Maximum Ratings, at T = 25 °C, unless otherwise specified  
j
Parameter  
Symbol  
Value  
Unit  
1)  
A
Continuous drain current  
I
D
T =25°C  
100  
100  
400  
C
Pulsed drain current  
I
D puls  
T =25°C  
C
810  
mJ  
Avalanche energy, single pulse  
E
AS  
I =80 , V =25V, R =25Ω  
D
DD  
GS  
2)  
E
30  
6
Repetitive avalanche energy, limited by T  
Reverse diode dv/dt  
jmax  
AR  
dv/dt  
kV/µs  
I =100A, V =24V, di/dt=200A/µs, T =175°C  
jmax  
S
DS  
Gate source voltage  
Power dissipation  
V
V
±20  
300  
GS  
P
W
tot  
T =25°C  
C
°C  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
T , T  
-55... +175  
55/175/56  
j
stg  
Page 1  
2003-05-09  
12345678

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